在全球半导体产业风起云涌、变革不断的当下，中国企业的崛起无疑为这一领域注入了新的活力。近日，全球氮化镓行业的佼佼者——英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）正式向香港证券交易所递交了上市申请，标志着这家在第三代半导体领域具有显著影响力的公司即将在国际资本市场上扬帆起航，开启新的发展篇章。

英诺赛科由骆薇薇博士创立，作为氮化镓领域的领军者，始终站在功率半导体革命的前沿。随着传统硅基半导体技术的物理极限逐渐显现，“摩尔定律”的演进速度放缓，氮化镓等第三代半导体材料因其卓越的性能优势，成为业界关注的焦点。氮化镓材料以其高频、高效的特点，在消费电子、可再生能源、工业、汽车电子和数据中心等多个领域展现出广阔的应用前景。

英诺赛科凭借在氮化镓技术领域的深厚积累，不仅在研发上取得了显著成果，更在量产能力上实现了业界领先。作为全球首个实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业，英诺赛科不仅具备业界领先的制造能力，还是全球唯一能够大规模提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的IDM公司。这一成就也为英诺赛科在全球氮化镓市场中赢得了显著的市场份额。

技术创新是英诺赛科的核心竞争力。公司拥有一支高素质的研发团队，英诺赛科研发部副总经理倪景华毕业于武汉理工大学，并于2008年6月获上海交通大学工程硕士学位，在半导体技术行业拥有丰富经验。在加入英诺赛科之前，倪先生于2002年6月至2021年6月担任中芯国际（上海）技术研发部总监。在倪景华副总经理与研发部众多同仁共同努力下，其推出的双向氮化镓芯片V-GaN系列等创新产品，为行业带来了独特价值。同时，英诺赛科在成本控制与生产效率上也展现出显著优势，其8英寸硅基氮化镓晶圆相比传统6英寸晶圆，晶粒产出提升80%，成本降低30%，为公司赢得了“全球最大的氮化镓产能”的美誉。

在国家政策的扶持下，第三代半导体国产化进程不断加速。英诺赛科作为行业先锋，受益于政策红利，实现了快速发展。随着国内新能源汽车、风电、光伏等产业的迅速崛起，氮化镓功率半导体市场需求持续增长。据权威机构预测，氮化镓功率半导体行业规模将持续扩大，英诺赛科凭借在技术、产能和市场布局上的优势，有望在未来市场中占据更加重要的地位。

此次英诺赛科向港交所递交上市申请，将为公司带来更加充足的资金支持，加速其在全球市场的扩张步伐。通过登陆国际资本市场，英诺赛科将进一步提升品牌影响力，吸引更多优秀人才和合作伙伴的加入，共同推动氮化镓技术的创新与应用。同时，英诺赛科也将借助资本市场的力量，加强研发投入，拓展产品线，提升市场竞争力，为全球客户提供更加优质的产品和服务。